半导体级晶体生长炉KX260MCZ-大连连城数控机器股份有限公司
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半导体级晶体生长炉KX260MCZ
发表时间:2014-09-23      

Performance  性能

Typical Ingot Diameter 单晶直径

200-400 mm (8-16 in)

Pull Chamber Door Opening

副室门尺寸

508 x 2,362 mm (20 x 93 in)

Throat Diameter 喉口直径

457 mm (18 in)

Seed Lift Rate 晶升速率

0-508 mm/hr

Seed Jog Speed (Nominal)

籽晶快速提升速率(最大)

508 mm/min

Total Crucible Travel 锅最大行程

280 mm (19.6 in )

Crucible Lift Rate 锅提升速率

0-254 mm/hr

Crucible Jog Speed (Nominal)

锅快速提升速率(最大)

50.8 mm/min

Seed Rotation (Reversible)

转速率(可逆)

0-35 rpm

Crucible Rotation (Reversible)

锅转速率(可逆)

0-20 rpm

Vacuum Pumps Main 主真空

14,200 l/min (300 cfm)

(Min. recommended) Aux 辅真空泵

1,700 l/min (50 cfm)

半导体级晶体生长炉KX260MCZ