半导体级晶体生长炉KX170MCZ-大连连城数控机器股份有限公司
所在位置:首页 - 营销客服 - 文件下载
半导体级晶体生长炉KX170MCZ
发表时间:2014-09-23      


Performance  性能

Typical Ingot Diameter 单晶直径

150-230 mm (6-10 in)

Pull Chamber Height 副室高度

2,800 mm (110 in)

Throat Diameter 喉口直径

305 mm (12 in)

Seed Lift Rate 晶升速率

0-508 mm/hr

Seed Jog Speed (Nominal)

籽晶快速提升速率(最大)

508 mm/min

Total Crucible Travel 锅最大行程

500 mm (19.6 in )

Crucible Lift Rate 锅提升速率

0-254 mm/hr

Crucible Jog Speed (Nominal)

锅快速提升速率(最大)

50.8 mm/min

Seed Rotation (Reversible)

籽晶旋转速率(可逆)

0-50 rpm

Crucible Rotation (Reversible)

坩锅旋转速率(可逆)

0-20 rpm

CUPS 主真空

1000 Gs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 



半导体级晶体生长炉KX170MCZ